Micron представила первый в мире модуль DDR5 на 512 ГБ и 9200 МТ/с - массовое производство запланировано на 2027 год

Micron продемонстрировала, как утверждает компания, первый в мире модуль памяти DDR5 объёмом 512 ГБ. Новый RDIMM предназначен для серверов и способен работать на скорости до 9200 МТ/с. AMD и Intel уже занимаются его проверкой для будущих серверных платформ.

Ёмкость 512 ГБ достигается за счёт вертикального размещения кристаллов DRAM, соединённых сквозными кремниевыми переходами. Таким образом, сервер с 24 такими модулями сможет получить до 12 ТБ памяти DDR5 без увеличения количества DIMM-слотов.

Micron также заявляет о значительном снижении энергопотребления по сравнению с использованием нескольких модулей меньшей ёмкости. Один RDIMM на 512 ГБ потребляет 16 Вт, тогда как четыре модуля по 128 ГБ с такой же суммарной ёмкостью в тестах компании потребляли 44,2 Вт. Разница превышает 60%.

Компания называет демонстрацию 512-гигабайтного DDR5-модуля важной вехой и рассчитывает, что память высокой ёмкости будет востребована в корпоративных ЦОД и облачных системах для ИИ, аналитики, баз данных в памяти и ресурсоёмких симуляций. AMD и Intel уже проводят валидацию модуля, который должен обеспечивать скорость до 9200 МТ/с.

Micron также сообщает о приросте производительности до 1,4 раза в аналитических нагрузках Spark SVM, ограниченных пропускной способностью памяти, по сравнению с конфигурациями DDR5 объёмом 256 ГБ. Дополнительная ёмкость предназначена в том числе для ИИ, баз данных, виртуализации и других задач, которым выгодно хранить большие наборы данных непосредственно в системной памяти.

Новый модуль на 512 ГБ стал развитием 256-гигабайтных DDR5 RDIMM Micron, образцы которых компания начала поставлять ранее в этом году. Они также поддерживают скорость до 9200 МТ/с и используют память Micron 1-gamma DRAM с трёхмерной укладкой кристаллов.

Серийное производство 512-гигабайтных модулей запланировано на 2027 год. Стоимость новой памяти Micron пока не раскрыла.